為什麼虛擬晶圓數據能有效預測製程變異(Process Variation)?
GAN-VS™
這裡好像是半導體的技術論壇,想請問版上大大,我們常談論 WID(晶片內)與 D2D(晶片間)變異。GAN-VS 生成的虛擬數據是否具備空間相關性(Spatial Correlation)?
💬 Comments section
好的 謝謝解答 我再來研究看看!
哈囉 Alex!正確的虛擬數據必須具備空間場特徵。GAN-VS™ (可參考User Guide P.3) 的生成器並非隨機產數,而是透過我們訓練模型學習了真實在生產中觀察到的空間分佈規律。
例如,邊緣處的離子注入不均勻會導致特徵參數呈環狀偏移。GAN 模型捕捉這些「特徵(Features)」,讓生成的 20 組虛擬樣本(如 User Guide P.13-14 所示)在統計分佈上與真實 Wafer有高仿真度。
這是在市場上稀缺的data資料,使設計團隊在沒拿到實體片子前,就能研究測試與分析演算法對變異的容忍度。
若還有什麼問題歡迎再上來交流,謝謝~
📝 Post a comment
🛒 Visit DTCO Shop
Enjoy latest products, try for FREE!
libMetric™
Copernic™
GRO Compiler
Binning-PG™
DM-VS™
Programming Skill
Explore More